TPSI2260QDWQRQ1

TPSI2260-Q1是一款面向高压汽车与工业应用设计的隔离固态继电器。TPSI2260-Q1采用TI高可靠性增强型电容隔离技术，结合内部背对背MOSFET构成完整的集成解决方案，无需次级侧电源。电容隔离技术不存在机械继电器与光继电器组件常见的机械磨损或光劣化失效模式，因此TPSI2260-Q1可提升系统可靠性。该器件原侧仅需5mA输入电流即可供电，集成故障安全EN引脚，可完全避免VDD电源反向供电的可能。大多数应用中，器件的VDD引脚需连接4.5V至20V范围的系统电源，EN引脚需由逻辑高电平范围为2.1V至20V的GPIO输出驱动；其他应用中，VDD与EN引脚可一同由系统电源或GPIO输出直接驱动。其次级侧由背对背MOSFET构成，S1至S2之间的截止电压为±600V。TPSI2260-Q1的MOSFET雪崩鲁棒性与热优化封装设计，使其无需任何外部组件即可稳定支持系统级介电耐压测试（HiPot），以及最高1mA的直流快充浪涌电流（TPSI2240C-Q1为0.6mA，TPSI2260T-Q1为3mA）。

• 符合汽车应用资格，满足AEC-Q100 1级要求，工作温度范围TA为-40℃至125℃
• 低EMI，无需额外组件即可满足CISPR25 5级性能要求
• 集成雪崩额定MOSFET
• 专为介电耐压测试（Hi-Pot）的可靠性设计并完成验证
• TPSI2260-Q1的IAVA为1mA（60s脉冲）
• TPSI2260C-Q1的IAVA为0.6mA（60s脉冲）
• TPSI2260T-Q1的IAVA为3mA（60s脉冲）
• 600V截止电压
• RON = 65Ω（TJ = 25℃）
• IOFF = 1.22μA（500V条件下，TJ = 105℃）
• 原边电源电流低
• 导通状态电流为5mA
• 关断状态电流为3.5μA（TJ = 25℃）
• 支持功能安全，可提供相关文档辅助ISO 26262和IEC 61508系统设计
• 隔离屏障性能可靠
• 工作电压1500VRMS/2120DC下预计使用寿命超过30年
• 增强隔离等级，VISO最高可达5000VRMS
• 采用SOIC 11引脚（DWQ）宽引脚封装，可提升热性能
• 原边与副边之间爬电距离和电气间隙≥8mm
• 开关端子间爬电距离和电气间隙≥6mm
• 计划获取DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)、UL 1577安全相关认证

• 固态继电器
• 混动、电动车辆动力总成系统
• 电池管理系统（BMS）
• 太阳能
• 车载充电器
• 电动汽车充电基础设施