- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7190ADP-T1-RE3-VB
N沟道；电压：250V；电流：35A；导通电阻：42(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7190ADP-T1-RE3-VB
- 商品编号
- C53154608
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 175°C结温
- SGT技术功率MOSFET
- 材料分类：符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
- 注：封装限制
- 注：表面贴装于1" × 1" FR4板上
- 注：t ≤ 10 s
- 注：仅用于设计辅助；不进行生产测试
- 注：脉冲测试；脉冲宽度 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2%
- 注：与工作温度无关
- RJK2555DPA-00#J0-VB
- RJK2557DPA-00#J0-VB
- VBGQA1254N
- BSC430N25NSFD-VB
- CEZ45R25-VB
- SiR692DP-VB
- TPH1110FNH,L1Q-VB
- TPH2010FNH-VB
- TPH2010FNH,L1Q-VB
- Si7434ADP-VB
- DI025N25PQ-VB
- RBE015N10R1SZQ4-VB
- RBE039N15R1SZQ4-VB
- RS7E200BGTB1-VB
- 52N25M5QFN8(5X6)-VB
- BSC600N25NS3G-VB
- 灵耀14 Air(U7 32G 1T-Gray)
- zw-900-Plus
- DG380-3.81-02P-14-00A(H)
- DG380-3.81-03P-14-00A(H)
- DO4614S