- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEZ45R25-VB
N沟道；电压：250V；电流：35A；导通电阻：42(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CEZ45R25-VB
- 商品编号
- C53154613
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 结温175°C
- SGT技术功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
- 封装限制
- 表面贴装于1英寸×1英寸FR4板上
- t ≤ 10 s
- 仅用于设计辅助；不进行生产测试
- 脉冲测试；脉冲宽度 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2%
- 与工作温度无关
- SiR692DP-VB
- TPH1110FNH,L1Q-VB
- TPH2010FNH-VB
- TPH2010FNH,L1Q-VB
- Si7190ADP-VB
- Si7434ADP-VB
- BSC670N25NSFD-VB
- DI025N25PQ-VB
- TPCA8008-H(TE12LQM-VB
- TPCA8008-H(TE12L,Q-VB
- RBE015N10R1SZQ4-VB
- RBE039N15R1SZQ4-VB
- RS7E200BGTB1-VB
- 52N25M5QFN8(5X6)-VB
- BSC600N25NS3G-VB
- 灵耀14 Air(U7 32G 1T-Gray)
- zw-900-Plus
- DG380-3.81-02P-14-00A(H)
- DG380-3.81-03P-14-00A(H)
- DO4614S
- APS0410M100A