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RBE015N10R1SZQ4-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RBE015N10R1SZQ4-VB

N沟道;电压:100V;电流:350A;导通电阻:1.2(mΩ)

商品型号
RBE015N10R1SZQ4-VB
商品编号
C53154624
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)320A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)120nC
输入电容(Ciss)10.5nF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.586nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 采用SGT技术功率MOSFET
  • 最高结温150℃
  • 100%栅极电阻和雪崩能量测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • N沟道MOSFET

应用领域

  • 电源
  • 不同断电源
  • 开关电源
  • 照明
  • 同步整流
  • DC/DC转换器
  • 电机驱动开关
  • DC/AC逆变器
  • 太阳能微逆变器
  • D类音频放大器

数据手册PDF