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DO4614S
N+P通道MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，具备低栅极电荷和超低导通电阻，散热性好
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- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4614S
- 商品编号
- C53154574
- 商品封装
- SOT-23-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045485克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS = 40V，ID = 5.5A，RDS(ON) < 40mΩ（在VGS = 10V时，典型值为28mΩ）
- P沟道：VDS = -40V，ID = -4.5A，RDS(ON) < 75mΩ（在VGS = -10V时，典型值为62mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3