Name: VBsemi(微碧半导体) BSC600N25NS3GATMA1-VB
Brand: VBsemi(微碧半导体)
SKU: C53154603
Price: 9.51 CNY
Availability: InStock

175℃结温
SGT技术功率MOSFET
材料分类：符合RoHS标准
N沟道MOSFET
注：封装限制
注：表面贴装于1英寸×1英寸FR4板上
注：t ≤ 10 s
注：仅用于设计辅助；不进行生产测试
注：脉冲测试；脉冲宽度≤300~μs，占空比≤2%
注：与工作温度无关
超过“最大额定值”所列的应力可能导致器件永久性损坏。这些仅为应力额定值，并不意味着器件在这些或任何其他超出规格书操作部分所示条件的条件下能够正常工作。长时间暴露在最大额定值条件下可能会影响器件可靠性。
典型特性（除非注明，均为25℃）
传输特性
输出特性
跨导
导通电阻与漏极电流关系
电容
栅极电荷
典型特性（除非注明，均为25℃）
导通电阻与结温关系
源漏二极管正向电压
热额定值
安全工作区
最大漏极电流与环境温度关系
归一化热瞬态阻抗，结到外壳
PDFNWB5x6-8L封装外形尺寸
顶视图
底视图
侧视图
PDFNWB5x6-8L建议焊盘布局
注：
控制尺寸：单位为毫米
一般公差：±0.05mm
焊盘布局仅供参考
免责声明：所有产品为提升可靠性、功能或设计或其他原因，产品规格和数据可能随时更改，恕不另行通知。
材料分类政策：所有产品均被确定为符合RoHS标准，并满足欧洲议会指令2011/65/EU对电气电子设备中限制使用某些有害物质的定义，除非另有说明为不一致。所有产品均被确认为符合JEDEC JS709A要求的无卤素标准。

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	42mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	136W
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	48nC

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	2.5nF
	反向传输电容(Crss)	225pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	470pF
	栅极电压(Vgs)	±20V

BSC600N25NS3GATMA1-VB

商品参数

商品特性

数据手册PDF