- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
90N04
N沟道快速开关MOSFET，超低栅极电荷，采用先进的高单元密度沟槽技术
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- 描述
- 沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:90A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 90N04
- 商品编号
- C53134294
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.031nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 179pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 213pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽工艺
- 100%保证耐雪崩能力
- BSS84
- 200N04T
- S225N04F
- S70N10T
- S80P10T
- S120P10T
- 90N06
- S60V04F
- SIP-T58W-NW
- 7W 6500K 3.5
- 3086S
- 93425A
- X1502T-03-PSN-A28RBY-L100-X1502T-F
- X2016TF-PSN-02-A22RB-L100-T2
- X1002T-04-PSN-A28BBBB-L70-X1002T-Z
- X2016TF-PSN-04-A22GGGG-L100-X2016TF-Z
- X1251T-06-PSN-A28RBGLW-L50-X1251T-Z
- X1224T-PSN-04-A26RYYB-L150-T3
- X8821T-06-PSN-A24(BR)3-L340-X8821T-Z
- KM200
- X8821T-10-PSN-A24RBGNYLWAP(YR)-L100-X8821T-Z