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S60V04F
双N沟道快速开关MOSFET，采用Split Gate Trench MOSFET技术，散热封装出色，适用于DC-DC转换器和电源管理功能
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- 描述
- SGT；N沟道；耐压:40V；电流:60A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S60V04F
- 商品编号
- C53134302
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 分裂栅沟槽式MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
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