温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
200N04T
N沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷、出色的CdV/dt效应抑制，采用先进的高单元密度沟槽技术
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 沟槽；N沟道；耐压:40V；电流:200A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 200N04T
- 商品编号
- C53134296
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8888克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 317pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 528pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 保证100%符合EAS标准
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术