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S120P10T
P沟道快速开关MOSFET，采用分裂栅沟槽MOSFET技术，适用于电池开关、硬开关和高频电路及电源管理
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- 描述
- SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-120A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S120P10T
- 商品编号
- C53134300
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8876克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.349nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 798pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于降低 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 90N06
- S60V04F
- SIP-T58W-NW
- 7W 6500K 3.5
- 3086S
- 93425A
- X1502T-03-PSN-A28RBY-L100-X1502T-F
- X2016TF-PSN-02-A22RB-L100-T2
- X1002T-04-PSN-A28BBBB-L70-X1002T-Z
- X2016TF-PSN-04-A22GGGG-L100-X2016TF-Z
- X1251T-06-PSN-A28RBGLW-L50-X1251T-Z
- X1224T-PSN-04-A26RYYB-L150-T3
- X8821T-06-PSN-A24(BR)3-L340-X8821T-Z
- KM200
- X8821T-10-PSN-A24RBGNYLWAP(YR)-L100-X8821T-Z
- X0800HI-08-A32RBYGLW(YR)P-L100-T2
- X2016TF-PSN-04-A22BRYL-L150-X2016TF-Z
- X2510T-03-PSN-A26YRB-L70-Z
- X2510T-02-PSN-A26RB-L70-Z
- X0800HI-08-A32RBYGLW(YR)P-L50-T3
- X1256H-04L-PSN-A26RBBR-L100-T3