- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FOD3184S(UMW)
IGBT栅极驱动光耦，采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合，输出级使用P沟道MOSFET，具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FOD3184S(UMW)
- 商品编号
- C53114917
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器。它由一个铝镓砷发光二极管与一个集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器功率级电路进行光耦合。该器件非常适用于驱动等离子显示面板、电机控制逆变器应用以及高性能DC/DC转换器中使用的高频功率MOSFET/IGBT。
商品特性
- 高抗噪性，典型共模抑制比在VCM = 2,000V时为50kV/μs
- 保证工作温度范围为-40℃至+100℃
- 3A峰值输出电流，适用于中等功率MOSFET/IGBT
- 开关速度快
- 最大传播延迟为210ns
- 最大脉宽失真为65ns
- 输出上升/下降时间快
- 提供更低的动态功耗
- 最大开关频率为250kHz
- VDD工作电压范围宽，为15V至30V
- 输出级使用P沟道MOSFET，使输出电压摆幅接近电源轨（轨到轨输出）
- 具有迟滞的欠压锁定保护，针对驱动IGBT进行了优化
应用领域
- 等离子显示面板
- 高性能DC/DC转换器
- 高性能开关模式电源
- 高性能不间断电源
- 隔离式功率MOSFET/IGBT栅极驱动