温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FOD3184S(UMW)
IGBT栅极驱动光耦，采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合，输出级使用P沟道MOSFET，具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FOD3184S(UMW)
- 商品编号
- C53114917
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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IGBT栅极驱动光耦，采用铝镓砷发光二极管与CMOS探测器光耦合，输出级使用P沟道MOSFET，具有高抗噪性、快速开关速度、低动态功耗和欠压锁定保护
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