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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 漏极电流(ID) = 6A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(on)) < 27mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5V 时,导通电阻(RDS(on)) < 37mΩ
- 低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源