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BC857C-JSM
通用PNP晶体管，低电流、低电压，采用SOT-23封装，适用于通用开关和放大
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- 描述
- 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：420@2.0mA,5.0V hFE:420-800，丝印:3G
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC857C-JSM
- 商品编号
- C53113869
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 800 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV；650mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |