温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMD65N380C1
采用先进超结技术的功率MOSFET，具有超低导通电阻和栅极电荷、超快体二极管、低损耗和高换向耐用性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- BMD65N380C1
- 商品编号
- C53049480
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMx65N380C1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师提供了低电磁干扰（EMI）的优势，同时具有较低的开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 由于极低的品质因数Rdson×Qg和Eoss，损耗极低。
- 极高的换向鲁棒性。
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 适配器
- 液晶电视（LCD TV）
- LED照明
- 不间断电源（UPS）