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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS2817DSTRPBF

IRS2817DSTRPBF

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商品型号
IRS2817DSTRPBF
商品编号
C538353
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)350mA
属性参数值
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)150ns
下降时间(tf)50ns
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)

商品概述

IRS2817D和IRS2807D是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达600 V。

商品特性

  • 为自举操作设计的浮动通道
  • 最高可在+600 V下完全工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 低di/dt栅极驱动器,具备更好的抗噪性
  • 输出与输入同相
  • 集成自举二极管
  • 适用于梯形和正弦电机控制
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电机控制
  • 空调
  • 洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型/小型逆变器驱动器

数据手册PDF