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MPT016N10-T
N沟道 100V 325A
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- 描述
- 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):325A 导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT016N10-T
- 商品编号
- C52941368
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 325A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
MPT016N10-T是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,VGS = 10 V、ID = 325 A时,Rds(on) < 1.6 mΩ(典型值:1.3 mΩ)
- 快速开关
- 导通电阻低、栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电池管理系统(BMS)
- 大电流开关应用