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MLG40T120FDL5
IGBT 1200V 40A
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):40A 耗散功率(Pd):428W 输出电容(Coes):89pF 描述：采用先进的沟槽截止技术，具有低VCE(sat)，优化的开关性能和低栅极电荷Qg的优势
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLG40T120FDL5
- 商品编号
- C52941371
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.951667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 35uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.048nF | |
| 输出电容(Coes) | 89pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns；16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 165ns；137ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.3mJ；2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.7mJ；2.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 610ns；460ns；237ns；323ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
MLG40T120FDL5采用先进的沟槽场截止技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该IGBT是适用于不间断电源、焊接设备和高频开关应用的理想器件。
商品特性
- 1200V击穿电压
- 快速开关
- 低饱和压降，典型值 VCE(sat) typ = 1.65V (IC = 40A 和 Tc = 25℃)
- 正温度系数
- 非常柔和、快速恢复的反并联二极管
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 不间断电源
- 高频开关转换器
- 焊接转换器