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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MASWSS0181TR-3000-HX
GaAs SPDT 高功率开关，采用无铅SOT-26封装，基于GaAs pHEMT工艺
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- 描述
- MASWSS0181TR-3000-HX 是高功率 GaAs pHEMT SPDT 射频开关，具低控压、低损耗、高隔离，适用于至 3 GHz 的手机及通用天线切换应用
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- MASWSS0181TR-3000-HX
- 商品编号
- C52941372
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 0MHz~3GHz | |
| 隔离度 | 16dB | |
| 插入损耗 | 0.75dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作电压 | 2.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MASWSS0181TR-3000-HX是一款采用无铅SOT-26封装的砷化镓PHEMT MMIC单刀双掷（SPDT）高功率开关。该器件非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和成本效益的应用。典型应用包括将独立的发射和接收功能连接到共用天线的GSM和DCS手机系统，以及其他相关手机和通用用途。该器件可用于所有工作频率高达3 GHz、需要高功率和低控制电压的系统。该器件采用0.5微米栅长砷化镓pHEMT工艺制造，制造过程采用全面钝化以增强性能和可靠性。
商品特性
- 低电压工作：2.5 V
- 谐波：<-67 dBc @ +34 dBm & 1 GHz
- 低插入损耗：0.40 dB @ 1 GHz
- 高隔离度：20 dB @ 2 GHz
- 0.5微米砷化镓pHEMT工艺
- 无铅SOT-26封装
- 铜基材上100%哑光锡镀层
- 无卤素“绿色”模塑化合物
- 兼容260°C回流焊
- MASWSS0006的RoHS*合规版本