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MPT052N08S
N沟道 85V 120A
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:85V 连续漏极电流:120A 导通电阻:4.6mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT052N08S
- 商品编号
- C52941370
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.013875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 637pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于同步整流和高速开关应用。
商品特性
- VDS = 85 V,ID = 120 A,Rds(on) < 5.2 mΩ(VGS = 10 V时,典型值为4.6 mΩ)
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐用性
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电机驱动器
- 开关应用