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IRFU5505PBF
1个P沟道 耐压:55V 电流:18A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFU5505PBF
- 商品编号
- C538066
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,9.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平最高可达1.5瓦。
商品特性
~~- 超低导通电阻-表面贴装(IRFR5505)-直引脚(IRFU5505)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅-无卤