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IR2213SPBF
高端和低端驱动器
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- 描述
- IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2213SPBF
- 商品编号
- C537612
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.987729克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 工作电压 | 12V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 17ns | |
| 传播延迟 tpLH | 280ns | |
| 传播延迟 tpHL | 225ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | - | |
| 静态电流(Iq) | 180uA |
商品概述
IR2213(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达1200V。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+1200V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压
- 抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为12V至20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V逻辑兼容
- 独立逻辑电源范围为3.3V至20V
- 逻辑地和功率地偏移±5V
- 带下拉的CMOS施密特触发输入
- 逐周期边沿触发关断逻辑
- 双通道传播延迟匹配
- 输出与输入同相