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IR2184SPBF

半桥驱动器

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描述: 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2184SPBF
商品编号: C537610
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互依赖的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高可承受 600 伏电压。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道，在高达 +600V 时可完全工作，耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 10 至 20V
双通道欠压锁定
兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑
双通道传播延迟匹配
逻辑地和功率地偏移 +/-5V
较低的 di/dt 栅极驱动器，具有更好的抗噪性
输出源/灌电流能力为 1.4A/1.8A
也提供无铅 (PbF) 版本

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	270ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.7V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1mA