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IMZA65R027M1H

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描述
基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙SiC材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。
商品型号
IMZA65R027M1H
商品编号
C536297
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
7.99克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)59A
阈值电压(Vgs(th))5.7V
栅极电荷量(Qg)63nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.131nF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)317pF
导通电阻(RDS(on))34mΩ

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优惠活动

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