- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMW65R072M1H
碳化硅沟槽功率MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于高温和恶劣环境
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW65R072M1H
- 商品编号
- C536288
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 744pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 112pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ |