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IMZ120R220M1H实物图
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IMZ120R220M1H

IMZ120R220M1H

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描述
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,易于实现栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 用于硬换相的坚固体二极管。应用:能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器
商品型号
IMZ120R220M1H
商品编号
C536295
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
8.354克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)13A
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))5.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.5nC
输入电容(Ciss)289pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)16pF
导通电阻(RDS(on))220mΩ@18V

商品特性

  • 非常低的开关损耗
  • 无阈值导通状态特性
  • 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V
  • 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动
  • 完全可控的dV/dt
  • 用于硬换向的稳健体二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的检测引脚

应用领域

  • 能源发电
    • 太阳能串逆变器和太阳能优化器
  • 工业电源
    • 工业UPS
    • 工业SMPS
  • 基础设施 - 充电
    • 充电器

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