NSVR1020MW2T1G-HXY

NSVR1020MW2T1G-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在低电压应用中表现稳定。器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对瞬态电流有一定要求的电路。典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NSVR1020MW2T1G-HXY

商品编号

C52754592

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.024克(g)