BAS40-02V-G3-08-HXY

BAS40-02V-G3-08-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.35A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景，尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAS40-02V-G3-08-HXY

商品编号

C52754596

商品封装

SOD-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.04克(g)