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CMDSH-3-HXY

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描述: 该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CMDSH-3-HXY
商品编号: C52754582
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0245克(g)

商品参数