CMDSH-3-HXY

CMDSH-3-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率整流或开关场景，常见于便携式电子设备、电源管理模块及信号检测电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CMDSH-3-HXY

商品编号

C52754582

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.0245克(g)