RB520S30T1G-HXY

RB520S30T1G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为1μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于存在短暂电流冲击的电路环境。此类参数组合使其常用于低电压整流、信号箝位、电源极性保护及便携式电子设备中的高效能开关路径。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB520S30T1G-HXY

商品编号

C52754541

商品封装

SOD-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.0195克(g)