RB520S30T1G-HXY

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描述: 该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为1μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于存在短暂电流冲击的电路环境。此类参数组合使其常用于低电压整流、信号箝位、电源极性保护及便携式电子设备中的高效能开关路径。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RB520S30T1G-HXY
商品编号: C52754541
商品封装: SOD-523
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0195克(g)

商品参数