RB218BM200FHTL-HXY

RB218BM200FHTL-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.92V，典型反向漏电流（IR）为100μA，在浪涌条件下可承受高达150A的非重复峰值正向电流（IFSM）。此类结构适用于需要双路同步整流或极性保护的电源转换电路，凭借较低的导通压降和良好的瞬态耐受能力，有助于提升系统效率与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB218BM200FHTL-HXY

商品编号

C52754563

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.380612克(g)