XBS023P11R-G-HXY

XBS023P11R-G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为30μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

XBS023P11R-G-HXY

商品编号

C52754548

商品封装

SOD-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.04克(g)