RB088BM100TL-HXY

RB088BM100TL-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为10A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB088BM100TL-HXY

商品编号

C52754561

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.380808克(g)