NSVRB521S30T5G-HXY

NSVRB521S30T5G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式配置，额定平均正向电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）达30V。其正向压降（VF）典型值为0.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗应用中表现稳定。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达1A，适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NSVRB521S30T5G-HXY

商品编号

C52754539

商品封装

SOD-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.04克(g)