BAT760-7-HXY

BAT760-7-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为30V。其正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在正常工作条件下维持合理水平。器件可承受的峰值正向浪涌电流（IFSM）达1.5A，适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合，凭借较低的VF值和快速恢复特性，有助于提升系统整体效率与响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAT760-7-HXY

商品编号

C52754528

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.0225克(g)