NSVBAT54HT1G-HXY

NSVBAT54HT1G-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于减少导通状态下的功耗；在30V反向电压下，漏电流（IR）为2μA。器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A，适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用，具备较快的开关响应特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NSVBAT54HT1G-HXY

商品编号

C52754521

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.0235克(g)