BAS170WS-E3-08-HXY

BAS170WS-E3-08-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式配置，具有70V的反向重复峰值电压（VR）和0.07A的正向平均电流（IF）。其正向压降（VF）典型值为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至0.1μA，表现出优异的阻断特性。器件的正向浪涌电流能力（IFSM）为0.1A，适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景，如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAS170WS-E3-08-HXY

商品编号

C52754513

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.0235克(g)