1PS76SB10-HXY

1PS76SB10-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向平均电流（IF）为0.2A，最大反向重复峰值电压（VR）为30V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在常温下反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受最高0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于低电压、高效率要求的整流、箝位、保护及高频信号处理等电路应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

1PS76SB10-HXY

商品编号

C52754517

商品封装

SOD-323​

包装方式

编带

商品毛重

0.023232克(g)