- 引脚图
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FP35R12KT4
采用沟槽/场截止IGBT4和发射极控制4二极管的IGBT模块
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- 描述
- IGBT模块
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP35R12KT4
- 商品编号
- C534024
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 180克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 70A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 2nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 160ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.1mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |