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FP50R12W2T7_B11
IGBT模块
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- 描述
- 特性：低 VcEsat。Trenchstop™ IGBT7。过载运行可达 175℃。2.5 kV AC 1min 绝缘。Al₂O₃ 基板，低热阻。高功率密度。应用：辅助逆变器。空调
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP50R12W2T7_B11
- 商品编号
- C534055
- 商品封装
- 插件,62.8x56.7mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 58.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@1.28mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.92uC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 51ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 265ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.24mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.84mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.039nF |
商品特性
- 低VCEsat
- TrenchstopTM IGBT7
- 过载运行可达175℃
- 2.5 kV AC 1min绝缘
- Al₂O₃基板，低热阻
- 高功率密度
- 紧凑设计
- PressFIT连接技术
应用领域
- 辅助逆变器
- 空调
- 电机驱动
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