- 引脚图
- 焊盘图
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DF80R07W1H5FP_B11
DF80R07W1H5FP_B11
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- 描述
- IGBT模块
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- DF80R07W1H5FP_B11
- 商品编号
- C535104
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.72V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 95ns | |
| 导通损耗(Eon) | 127uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 195uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
- F3L100R07W2E3_B11
- F3L100R12W2H3_B11
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