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F3L100R07W2E3_B11实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

F3L100R07W2E3_B11

采用Trench/Fieldstop IGBT3和Emitter Controlled 3二极管及PressFIT/NTC的EasyPACK IGBT模块,具备高阻断电压、低电感、低开关损耗和低VcEsat等特性

商品型号
F3L100R07W2E3_B11
商品编号
C535223
包装方式
托盘
商品毛重
41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型IGBT模块
耗散功率(Pd)300W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)117A;100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.6V;1.45V;1.7V
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
属性参数值
输入电容(Cies)6.2nF
反向传输电容(Cres)190pF
开启延迟时间(Td(on))50ns;60ns
关断延迟时间(Td(off))270ns;260ns;50ns
导通损耗(Eon)950uJ;850uJ;550uJ
关断损耗(Eoff)3.5mJ;3.35mJ;2.5mJ
工作温度-40℃~+150℃

数据手册PDF