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F3L150R07W2E3_B11
650V 150A
- 描述
- 特性：增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板，低热阻。 紧凑设计。应用：三电平应用。 太阳能应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- F3L150R07W2E3_B11
- 商品编号
- C535227
- 商品封装
- 插件,62.8x56.7mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 335W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@150A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V@2.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 85ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.15mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.285nF |
优惠活动
购买数量
(15个/托盘，最小起订量 1 个)个
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