AUIRF8736M2TR
1个N沟道 耐压:40V 电流:27A 电流:137A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF8736M2TR
- 商品编号
- C533299
- 商品封装
- DirectFET2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.867nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 682pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AUIRF8736M2将最新的汽车用HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装技术相结合，在具有SO - 8或5X6mm PQFN封装尺寸且高度仅为0.7mm的封装中实现了卓越性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高汽车电源系统的热传递效率。 这款HEXFET®功率MOSFET专为重视效率和功率密度的应用而设计。先进的DirectFET®封装平台与最新的硅技术相结合，使AUIRF8736M2能够在ICE、HEV和EV平台的电机驱动、DC - DC及其他重载应用中显著节省系统成本并提高性能。该MOSFET采用最新的加工技术，实现了每单位硅面积的超低导通电阻。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力。这些特性使该MOSFET成为适用于大电流汽车应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 针对汽车电机驱动、DC - DC及其他重载应用进行优化
- 封装尺寸极小且高度低
- 功率密度高
- 寄生参数低
- 双面散热
- 工作温度达175°C
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅、符合RoHS标准且无卤素
- 通过汽车级认证
应用领域
- 汽车电机驱动
- DC - DC
- ICE、HEV和EV平台上的其他重载应用