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NTGS4141NT1G-MS
采用TrenchDMoS技术的N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于高效快速开关应用
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- 描述
- 此款NTGS4141NT1G-MS是一款高性能N沟道MOSFET管，采用小型TSOP-6封装，其核心参数表现突出：最大漏源电压VDSS：60V，连续漏极电流ID：3.6A，导通电阻低，能在中低压场景下实现高效电流控制。适用于低压电源转换（如5V/12VDC-DC模块）、小型电机驱动（如玩具电机、风扇驱动）及消费电子电源管理，尤其适合对体积敏感的便携式设备（如智能穿戴、小型家电）选型需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTGS4141NT1G-MS
- 商品编号
- C52287368
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V,VGS = 1.0V时,RDS(ON) = 18mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载开关
- 手持仪器