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NTGS4141NT1G-MS实物图
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NTGS4141NT1G-MS

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描述
此款NTGS4141NT1G-MS是一款高性能N沟道MOSFET管,采用小型TSOP-6封装,其核心参数表现突出:最大漏源电压VDSS:60V,连续漏极电流ID:3.6A,导通电阻低,能在中低压场景下实现高效电流控制。适用于低压电源转换(如5V/12VDC-DC模块)、小型电机驱动(如玩具电机、风扇驱动)及消费电子电源管理,尤其适合对体积敏感的便携式设备(如智能穿戴、小型家电)选型需求
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
NTGS4141NT1G-MS
商品编号
C52287368
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.043633克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 30V,VGS = 1.0V时,RDS(ON) = 18mΩ
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 有环保器件可选

应用领域

  • 主板/显卡/Vcore
  • 负载开关
  • 手持仪器

数据手册PDF