NTGS4141NT1G-MS
NTGS4141NT1G-MS
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- 描述
- 此款NTGS4141NT1G-MS是一款高性能N沟道MOSFET管,采用小型TSOP-6封装,其核心参数表现突出:最大漏源电压VDSS:60V,连续漏极电流ID:3.6A,导通电阻低,能在中低压场景下实现高效电流控制。适用于低压电源转换(如5V/12VDC-DC模块)、小型电机驱动(如玩具电机、风扇驱动)及消费电子电源管理,尤其适合对体积敏感的便携式设备(如智能穿戴、小型家电)选型需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTGS4141NT1G-MS
- 商品编号
- C52287368
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043633克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V,VGS = 1.0V时,RDS(ON) = 18mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载开关
- 手持仪器

