温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMUN2212LT1G-MS
适用于开关和接口电路及驱动电路应用的NPN硅外延平面晶体管
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款MMUN2212LT1G-MS是一款NPN型数字晶体管，集成22kΩ基极与发射极偏置电阻网络，采用SOT-23超小封装，核心参数适配效能：50V耐压满足低压系统需求，100mA电流承载小功率负载，60以上电流增益保障信号放大，适用于消费电子逻辑开关、信号放大电路，及物联网设备低功耗控制单元，降低系统成本
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMUN2212LT1G-MS
- 商品编号
- C52287379
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV | |
| 输入电阻 | 28.6kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 适用于开关、接口电路和驱动电路应用