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MMDT3904V-MS
外延平面芯片结构的SOT-563封装器件，适用于低功率放大和开关
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- 描述
- 此款MMDT3904V-MS是一款NPN小信号晶体管，采用超小型SOT-563封装，紧凑尺寸大幅节省PCB空间，适配高密度电路布局,核心参数高效适配：40V集射极耐压、0.2A连续集电极电流，满足低压中小功率场景需求；300MHz特征频率保障高频信号响应，低饱和压降减少导通损耗，宽温范围适配多环境工况,广泛用于消费电子、物联网设备的信号放大、电源开关、逻辑控制，以及小型传感器信号处理、微型电机驱动，完美契合便携式设备对小体积、低功耗的严苛需求
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMDT3904V-MS
- 商品编号
- C52287373
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品特性
- 外延平面管芯结构
- 非常适合低功率放大和开关应用