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MMDT2227DW-MS
塑料封装双晶体管（NPN+PNP），适用于功率放大和开关，采用外延平面芯片结构
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- 描述
- 此款MMDT2227DW-MS是一款集成NPN+PNP互补对的双极型小信号晶体管,采用超小型SOT-363封装,核心参数与效能深度关联：NPN管40V、PNP管60V的集射极耐压，适配12-48V低压系统，提供充足安全量；0.6A连续集电极电流可驱动中小功率负载，应用场景：低功率放大、开关控制、电机与执行器驱动、通信电路
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMDT2227DW-MS
- 商品编号
- C52287371
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA；600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V；40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW；200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300；300 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz；200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA；10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV；300mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V；5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 一个2222A NPN晶体管
- 一个2907A PNP晶体管
- 非常适合功率放大和开关应用