- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDT290UNE,115-VB
N+N沟道；电压：20V；电流：0.6A；导通电阻：300(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMDT290UNE,115-VB
- 商品编号
- C52209295
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
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