- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDT670UPE,115-VB
P+P沟道；电压：-20V；电流：-0.5A；导通电阻：450(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMDT670UPE,115-VB
- 商品编号
- C52209310
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行R测试
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关
- 驱动器:继电器、螺线管、显示器
- 电池供电系统
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