- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMGD290UCEA/DG/B2115-VB
N+P沟道；电压：±20V；电流：3.28/-2.8A；导通电阻：90/155(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMGD290UCEA/DG/B2115-VB
- 商品编号
- C52209312
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.28A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V；155mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 970mW；1.17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC；1.25nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET:采用热增强型SC-70封装,额定电压1.8 V
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备的负载开关
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